常见的内存芯片规格型号主要包括DDR3、DDR4、LPDDR4、XDR、HBM、SLC NAND等，不同类型各有特点，部分厂商的DDR4内存颗粒也有不同型号。
DDR3是双数据速率3的SDRAM，2007年首次推出，具备高带宽和低功耗的优点，广泛应用于个人电脑、工作站和服务器等计算设备。
DDR4是DDR3的后继产品，2014年发布。相较于DDR3，它在带宽和能效方面有所提升，能提供更快的数据传输速度和更低的功耗，适用于高性能计算和数据中心等领域。以三星型号M378A1K43CB2 - CTD为例，各部分代码有特定含义，M代表三星品牌；第二位4表示内存类型为DDR4；78是产品线代码（如78为台式机内存）；A1K43是容量与颗粒配置（1K = 8GB，43为颗粒规格）；CB2是时序与电压（C代表CL值，B2为版本号）；CTD是频率后缀（CTD对应DDR4 - 2666）。
LPDDR4是低功耗高速动态随机存取存储器4，专门用于移动设备。与DDR4相比，其功耗更低，且具有更高的数据传输速度和更高的带宽，适合手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备。
XDR由Rambus公司开发，是一种高端内存技术，在带宽和时钟速度上相比其他内存技术有很大提升，适用于高性能计算和高要求多媒体应用等领域。
HBM是高带宽内存，一种先进的堆叠式内存技术，提供了优异的带宽和能效，具有多个独立的内存层次，可实现大容量的数据存储和高速数据传输，广泛应用于显卡、服务器和人工智能等领域。
SLC NAND是单层单元闪存，一种高性能、高可靠性的闪存存储技术，以单层存储单元来存储数据，速度快、寿命长，适用于需要高速读写和长时间数据保持的应用，如车载导航、工业控制等。
不同厂商的DDR4内存颗粒也有不同型号及特点，三星的B - die是DDR4时代具有代表性的超频颗粒，但已停产，接替者为三星A - die和M - die；海力士的DDR4颗粒经历了从早期MFR、AFR，到CJR（C - Die），以及后续JJR（J - Die）的迭代过程；镁光的E - die颗粒（如C9BJZ、D9VPP）因高性价比和超频潜力在DIY玩家中受到关注。
